IRFP242 (transistor)
Revisión del 12:06 9 abr 2021 de Ledermisjccmg (discusión | contribuciones) (Página creada con «{{Ficha Hardware |nombre =IRFP242 |imagen =IRFP242.jpg |pie = Transistor MOSFET Canal N, Pines y Simbología |conn1 = A otros componentes electrónicos}} '''IRFP242'''…»)
|
IRFP242. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO3P
- Conmutador de Potencia
- Corriente de Drenador Ic: 18 Ampere
- Voltaje máximo drenador-fuente (Uds): 200 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): 150 °C:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 150 Watt
- Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.22
Usos y aplicaciones
- Conmutación de alta corriente y alta velocidad
- Convertidores DC-AC para equipos de soldadura