Diferencia entre revisiones de «Transistor NTE30»

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''' Transistor NTE30 '''. Es un transistor de potencia, compuesto por [[silicio]], el cual operar en un rango de frecuencia audible. Manufacturado por la compañía estadounidense  NTE Electronic . Inc.
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''' Transistor NTE30 '''. Transistor de potencia, compuesto por [[silicio]], el cual operar en un rango de frecuencia audible. Manufacturado por la compañía estadounidense  NTE Electronic . Inc.
 
   
 
   
 
== Partes que lo componen ==  
 
== Partes que lo componen ==  

última versión al 17:35 12 abr 2021

NTE30
Información sobre la plantilla
NTE30.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:{USA}.

Transistor NTE30 . Transistor de potencia, compuesto por silicio, el cual operar en un rango de frecuencia audible. Manufacturado por la compañía estadounidense NTE Electronic . Inc.

Partes que lo componen

Su estructura se compone de un encapsulado Metálico, al mirarlo por debajo de manera que sus dos pines queden en la parte superior, el de la izquierda es el Emisor, el de la derecha la base y el Colector lo compone el resto del cuerpo del transistor, de polaridad PNP es par complementario con el NTE 29 muy utilizados como salida de potencia de audio.

Transistor NTE30
Información sobre la plantilla
NTE-30.jpg
Distribución de pines NTE30

Características

  • Voltaje colector-base 80 V
  • Voltaje colector-emisor 80 V
  • Voltaje emisor-base 5 V
  • Máxima corriente de base 15 A
  • Máxima corriente de colector 50 A
  • Máxima potencia de salida 300 W
  • Temperatura de trabajo -65 a +200 grados

Usos

  • Salida amplificador de audio.


Fuentes