MTP20N15E
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MTP20N15E es un Mosfet de potencia canal N, que maneja 150V y 20A, su encapsulado es de tipo TO-220.
Descripción
MTP20N15E es un transistor Mosfet de potencia diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Su diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido. Este dispositivo es especialmente adecuado para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de operación sean seguras ofreciendo un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje.
Principales características
Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): 150 Vdc
Voltaje de compuerta de drenaje (Rgs=1.0 MΩ)(Vdgr): 150 Vdc
Voltaje puerta-fuente continuo (Vgs): ± 20 Vdc
Voltaje puerta-fuente no repetitivo (t p ≤ 10 ms) (Vgsm): ± 32Vdc
Drenaje continuo (Id): 20Adc
Drenaje continuo @ 100 °C (Id): 12Adc
Drenaje continúo impulso único (t p ≤ 10 μs) (Idm): 60 Adc
Disipación total de la energía (Pd): 112W
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento (Tj, Tstg): -55 a 150 °C
Temperatura de soldadura en 10 segundos (Tl): 260°C
Aplicaciones
Diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en convertidores de potencia y controles de velocidad de motores eléctricos.
Enlaces externos
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MTP20N15E-D.PDF
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=7675
https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/343/MTP20N15E.php
Fuente
Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001
