Transistor KC2331

Transistor KC2331
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Diagram 413.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

Transistor KC2331. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Amplificador de propósito general
  • Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
  • De colector a base (CBO) 100 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 2* (Watts)
  • Frecuencia MHz 150 Min

Transistores equivalentes

  • KC2331, KC2331-O, KC2331Y

Usos

Fuentes

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.